Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7309PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4A; Current, Id Cont P Channel:3A; Current, Idm Pulse:16A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:12A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7309; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:1.4W; Power, Dissipation P Channel 2:1.4W; Power, Pd:1.4W; Resistance, Rds on N Channel Max:0.05ohm; Resistance, Rds on P Channel Max:0.1ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vds P Channel Max:30V; Width, External:4.05mm


IRF7309PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7309PBF

Наименование IRF7309PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 225350
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF7309PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF7309

    IRF7309
    INFIN

    MOSFET, DUAL NP LOGIC SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP (Complements); Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Case Style:SO-8 (SOIC-8); Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4A; Current, Id Cont P Channel:3A; Current, Idm Pulse:16A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:12A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7309; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pins, No.…

  • Изображение  IRF7309TR

    IRF7309TR
    INFIN

    Полевой транзистор. Сдвоенный P-N канальный. 30V. 4.0A. -3.0A

  • Изображение  IRF7309TRPBF

    IRF7309TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:4.7A; On Resistance, Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC

Изображения IRF7309PBF

IRF7309PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7309PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
24,00 руб
от 59 шт. 21,00 руб
от 190 шт. 18,00 руб
от 380 шт. 16,50 руб
Наличие на складе
10609 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом