Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD122T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 4 В
IК(макс) 8 А
Pрасс 20 Вт
h21 100...12000


MJD122T4, STMicroelectronics

Параметры MJD122T4

Наименование MJD122T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 224844
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

Аналоги MJD122T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD122T4G

    MJD122T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD122T4

MJD122T4, STMicroelectronics MJD122T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,90 руб
от 87 шт. 13,90 руб
от 253 шт. 11,90 руб
от 551 шт. 11,00 руб
Наличие на складе
33406 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом