Терраэлектроника

MJD122T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 4 В
IК(макс) 8 А
Pрасс 20 Вт
h21 100...12000


MJD122T4, STMicroelectronics

Параметры MJD122T4

НаименованиеMJD122T4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул224844
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD122T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD122T4G

    MJD122T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD122T4

MJD122T4, STMicroelectronics MJD122T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
14,30 руб
от 94 шт. 12,50 руб
от 275 шт. 10,70 руб
от 598 шт. 9,90 руб
Наличие на складе
8945 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом