Терраэлектроника

MJD340T4G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJD340T4G, On Semiconductor

Параметры MJD340T4G

НаименованиеMJD340T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул224282
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD340T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD340T4

    MJD340T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 300 В; Pрасс: 15 Вт; h21: 30; Примечание: TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:30; Transistor Case Style:D-PAK; No.…

  • Изображение  MJD340G

    MJD340G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD340T4

    MJD340T4
    ONS

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Изображения MJD340T4G

MJD340T4G, On Semiconductor MJD340T4G, On Semiconductor MJD340T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом