Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD340T4G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


MJD340T4G, On Semiconductor

Параметры MJD340T4G

Наименование MJD340T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 224282
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD340T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD340G

    MJD340G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD340T4

    MJD340T4
    ONS

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK

  • Изображение  MJD340T4

    MJD340T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 300 В; Pрасс: 15 Вт; h21: 30; Примечание: TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:30; Transistor Case Style:D-PAK; No.…

Изображения MJD340T4G

MJD340T4G, On Semiconductor MJD340T4G, On Semiconductor MJD340T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом