Терраэлектроника

IRG4PSH71UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-274AA

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max50A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation350W
Case StyleTO-247AA
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed200A
Pins, No. of3
Power, Pd350W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Rise77ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PSH71UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PSH71UDPBF

НаименованиеIRG4PSH71UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул223464
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4PSH71UDPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
534,00 руб
Наличие на складе
245 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом