Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, D-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max5A
Voltage, Vce Sat Max2.6V
Power Dissipation38W
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed34A
Pins, No. of3
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4RC10UDPBF

Наименование IRG4RC10UDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 223313
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4RC10UDPBF, доступные на складе

Изображения IRG4RC10UDPBF

IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом