Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3707ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 30V, 59A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.0095ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse230A
Power Dissipation57W
Power, Pd57W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V9.5ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A2.65°C/W
Voltage, Vds Max30V


IRF3707ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3707ZPBF

НаименованиеIRF3707ZPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул222719
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF3707ZPBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP100N08N3GXKSA1

    IPP100N08N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
77,50 руб
от 18 шт. 67,50 руб
от 50 шт. 58,00 руб
от 100 шт. 53,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом