Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPP11N80C3XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, COOLMOS, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ800V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.45ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Id Cont @ 25°C11A
Current, Idm Pulse33A
Pins, No. of3
Power Dissipation156W
Power, Pd156W
Power, Ptot156W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds800V
Voltage, Vds Max800V
Voltage, Vgs th Max3.9V


SPP11N80C3XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SPP11N80C3XKSA1

Наименование SPP11N80C3XKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 222707
Vgs для измерения Rds(on)
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Корпус
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги SPP11N80C3XKSA1, доступные на складе

  • Изображение  IPP80R450P7XKSA1

    IPP80R450P7XKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET TRANSISITORS, 800V,3 PG-TO 220

  • Изображение  STP11NM80

    STP11NM80
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

Изображения SPP11N80C3XKSA1

SPP11N80C3XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPP11N80C3XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
144,00 руб
от 10 шт. 126,00 руб
от 29 шт. 108,00 руб
от 62 шт. 99,00 руб
Наличие на складе
367 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом