Терраэлектроника

2N6075BG, On Semiconductor

TRIAC, 4A, 600V, TO-126

Thyristor/Triac TypeTriac
Voltage, Vdrm600V
Current, It RMS4A
Current, Gate Trigger, Igt, (Q1), t2+g+3mA
Current, Itsm (60Hz)30A
Case StyleTO-126
Termination TypeThrough Hole
Current, Itsm30A
Voltage, Vgt2.5V
Current, Igt3mA
Current, t2+g-3mA
Current, t2-g+5mA
Current, t2-g-3mA
Voltage, Vrrm600V


2N6075BG, On Semiconductor

Параметры 2N6075BG

Наименование2N6075BG
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул222520
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Ток коммутации номинальный
Корпус
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Напряжение открытия Макс Vgt
Пиковая мощность Gate
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток удержания Макс Ih
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом