Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXFK80N50P, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-264

Transistor TypeHiPerFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-264
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ12700pF
Charge, Gate N-channel197nC
Pins, No. of3
Power, Pd1040W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.12°C/W
Voltage, Vds Max500V
Time, trr Max200ns


IXFK80N50P, Ixys Corporation

Параметры IXFK80N50P

Наименование IXFK80N50P
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 221750
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)

Изображения IXFK80N50P

IXFK80N50P, Ixys Corporation IXFK80N50P, Ixys Corporation
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1300,00 руб
от 2 шт. 1130,00 руб
от 4 шт. 969,00 руб
от 7 шт. 890,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом