Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7451PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On0.09ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse29A
Pin Configuration(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd2.5W
Time, Fall15ns
Time, Rise4.2ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs Max30V


IRF7451PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7451PBF

Наименование IRF7451PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 221476
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRF7451PBF, доступные на складе

Изображения IRF7451PBF

IRF7451PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7451PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7451PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
49,60 руб
от 70 шт. 42,50 руб
от 151 шт. 39,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом