Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXFH12N100Q, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On1.05ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Charge, Gate N-channel90nC
Current, Idm Pulse48A
Energy, Avalanche Repetitive Ear30mJ
Pins, No. of3
Power Dissipation300W
Power, Pd300W
Resistance, Rds on Max1.05ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Weight6g
dv/dt5V/ns


IXFH12N100Q, Ixys Corporation

Параметры IXFH12N100Q

Наименование IXFH12N100Q
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 221240
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Изображения IXFH12N100Q

IXFH12N100Q, Ixys Corporation IXFH12N100Q, Ixys Corporation
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом