Терраэлектроника

MJD42CT4G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo100V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)15V
Power Dissipation, Pd20W
DC Current Gain Min (hfe)15
Package/CaseD-PAK


MJD42CT4G, On Semiconductor

Параметры MJD42CT4G

НаименованиеMJD42CT4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул220302
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD42CT4G, доступные на складе

Изображения MJD42CT4G

MJD42CT4G, On Semiconductor MJD42CT4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,20 руб
от 52 шт. 22,90 руб
от 150 шт. 19,60 руб
от 326 шт. 18,00 руб
Наличие на складе
1536 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом