Терраэлектроника

FDN306P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SMD, SSOT-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-12V
Current, Id Cont-2.6A
Resistance, Rds On40mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.6V
Case StyleSuperSOT-3
Termination TypeSMD


Параметры FDN306P

НаименованиеFDN306P
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул220097
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,00 руб
от 125 шт. 9,50 руб
от 362 шт. 8,10 руб
от 788 шт. 7,50 руб
Наличие на складе
5110 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом