Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDN306P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SMD, SSOT-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-12V
Current, Id Cont-2.6A
Resistance, Rds On40mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.6V
Case StyleSuperSOT-3
Termination TypeSMD


Параметры FDN306P

НаименованиеFDN306P
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул220097
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,10 руб
от 121 шт. 9,70 руб
от 352 шт. 8,40 руб
от 765 шт. 7,70 руб
Наличие на складе
4719 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом