Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDN306P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SMD, SSOT-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-12V
Current, Id Cont-2.6A
Resistance, Rds On40mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.6V
Case StyleSuperSOT-3
Termination TypeSMD


Параметры FDN306P

Наименование FDN306P
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 220097
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,10 руб
от 310 шт. 9,50 руб
от 674 шт. 8,80 руб
Наличие на складе
2617 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом