Терраэлектроника

IRF520NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont9.7A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ330pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel25nC
Current, Iar5.7A
Current, Idm Pulse38A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear4.8mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas91mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRF520NS
Power Dissipation48W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd48W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.2ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.1°C/W
Time, Fall23ns
Time, Rise23ns
Time, trr Typ99ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V


Параметры IRF520NSPBF

НаименованиеIRF520NSPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул219756
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF520NSPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
38,50 руб
от 36 шт. 33,50 руб
от 100 шт. 29,00 руб
от 250 шт. 26,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом