Терраэлектроника

IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 900V, 1.7A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ900V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On8ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ490pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel38nC
Current, Iar1.7A
Current, Idm Pulse6.8A
Current, Idss Max100чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear5.4mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas180mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRFBF20S
Power Dissipation54W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.1W
Power, Pd54W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V8ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.1°C/W
Time, Fall32ns
Time, Rise21ns
Time, trr Typ350ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds900V
Voltage, Vds Max900V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V


IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFBF20SPBF

НаименованиеIRFBF20SPBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул218898
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRFBF20SPBF, доступные на складе

Изображения IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,50 руб
от 24 шт. 51,50 руб
от 68 шт. 44,00 руб
от 150 шт. 40,50 руб
Наличие на складе
1142 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом