Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

PHT8N06LT.135, NXP SEMICONDUCTORS

MOSFET, N, REEL 4K

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont7.5A
Resistance, Rds On0.08ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement5V
Voltage, Vgs th Typ1.5V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Id Max7.5A
Current, Idm Pulse40A
Power, Pd1.8W
Power, Ptot1.8W
Quantity, Reel4000
Temperature, Current25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V


Параметры PHT8N06LT.135

Наименование PHT8N06LT.135
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 218170
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом