Терраэлектроника

FDN335N, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On0.07ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.9V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse8A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN335N
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD335
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max1.5V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


FDN335N, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDN335N

НаименованиеFDN335N
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул218151
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом