Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDN335N, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On0.07ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.9V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse8A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN335N
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD335
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max1.5V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


FDN335N, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDN335N

Наименование FDN335N
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 218151
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом