Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220FP

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max19A
Voltage, Vce Sat Max2.2V
Power Dissipation52W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed38A
Power, Pd52W
Time, Rise35ns
Voltage, Vceo600V


IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB15B60KD1P

Наименование IRGIB15B60KD1P
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 218136
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения IRGIB15B60KD1P

IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
154,00 руб
от 23 шт. 132,00 руб
от 50 шт. 122,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом