Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont0.7A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.6A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD9110PBF

Наименование IRFD9110PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 218062
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRFD9110PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFD9110

    IRFD9110
    VISH/IR

    MOSFET, P DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:0.7A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,40 руб
от 53 шт. 23,10 руб
от 152 шт. 19,80 руб
от 300 шт. 18,20 руб
Наличие на складе
561 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом