Терраэлектроника

IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont0.7A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.6A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD9110PBF

НаименованиеIRFD9110PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул218062
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFD9110PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFD9110

    IRFD9110
    VISH/IR

    MOSFET, P DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:0.7A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
25,50 руб
от 54 шт. 22,00 руб
от 157 шт. 19,00 руб
от 300 шт. 17,50 руб
Наличие на складе
678 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом