Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont0.7A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.6A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFD9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD9110PBF

Наименование IRFD9110PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 218062
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFD9110PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFD9110

    IRFD9110
    VISH/IR

    MOSFET, P DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:0.7A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,30 руб
от 148 шт. 20,00 руб
от 300 шт. 18,30 руб
Наличие на складе
541 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом