Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max2.77V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed90A
Device MarkingIRG4PH50KDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall300ns
Time, Fall Max300ns
Time, Rise100ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50KDPBF

Наименование IRG4PH50KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 217911
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH50KDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50KD

    IRG4PH50KD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:2.77V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:90A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50KDPBF

IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
543,00 руб
от 3 шт. 475,00 руб
от 8 шт. 407,00 руб
от 17 шт. 374,00 руб
Наличие на складе
1631 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом