Терраэлектроника

MJD112T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц


MJD112T4, STMicroelectronics

Параметры MJD112T4

НаименованиеMJD112T4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул217201
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD112T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD112G

    MJD112G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

Изображения MJD112T4

MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,00 руб
от 86 шт. 14,00 руб
от 251 шт. 12,00 руб
от 546 шт. 11,00 руб
Наличие на складе
2167 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом