Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD112T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц


MJD112T4, STMicroelectronics

Параметры MJD112T4

Наименование MJD112T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 217201
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD112T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD112G

    MJD112G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

Изображения MJD112T4

MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
14,90 руб
от 231 шт. 12,80 руб
от 502 шт. 11,80 руб
Наличие на складе
5145 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом