Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD112T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц


MJD112T4, STMicroelectronics

Параметры MJD112T4

НаименованиеMJD112T4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул217201
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус

Аналоги MJD112T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD112G

    MJD112G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

Изображения MJD112T4

MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics MJD112T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,80 руб
от 85 шт. 13,80 руб
от 247 шт. 11,90 руб
от 538 шт. 10,90 руб
Наличие на складе
16762 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом