Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXTH14N100, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On0.7ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.5V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range9453130
Current, Idm Pulse56A
Pins, No. of3
Power Dissipation360W
Power, Pd360W
Resistance, Rds on Max0.82ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V
Voltage, Vgs th Max4.5V


IXTH14N100, Ixys Corporation

Параметры IXTH14N100

Наименование IXTH14N100
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 217070
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IXTH14N100, доступные на складе

  • Изображение  STW13NK100Z

    STW13NK100Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 13.5 А; Rси(вкл): 0.7 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 220 нКл

Изображения IXTH14N100

IXTH14N100, Ixys Corporation IXTH14N100, Ixys Corporation
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом