Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXTH14N100, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On0.7ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.5V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range9453130
Current, Idm Pulse56A
Pins, No. of3
Power Dissipation360W
Power, Pd360W
Resistance, Rds on Max0.82ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V
Voltage, Vgs th Max4.5V


IXTH14N100, Ixys Corporation

Параметры IXTH14N100

Наименование IXTH14N100
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 217070
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Rds(on)

Аналоги IXTH14N100, доступные на складе

  • Изображение  STW13NK100Z

    STW13NK100Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 13.5 А; Rси(вкл): 0.7 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 220 нКл

Изображения IXTH14N100

IXTH14N100, Ixys Corporation IXTH14N100, Ixys Corporation
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом