Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXDR35N60BD1, Ixys Corporation

IGBT, ISOPLUS247

Transistor TypeNPT
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max38A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation125W
Case StyleISOPLUS-247
Termination TypeThrough Hole
Pin ConfigurationCopack (FRD)
Thermal Resistance, Junction to Case A1°C/W
Time, Fall70ns
Time, Rise70ns


IXDR35N60BD1, Ixys Corporation

Параметры IXDR35N60BD1

Наименование IXDR35N60BD1
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 216459
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1220,00 руб
от 3 шт. 1050,00 руб
от 7 шт. 960,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом