Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXFH30N50, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont30A
Resistance, Rds On0.16ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Charge, Gate N-channel227nC
Current, Idm Pulse120A
Energy, Avalanche Repetitive Ear45mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas1.5J
Pins, No. of3
Power Dissipation360W
Power, Pd360W
Resistance, Rds on Max0.16ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ250ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Weight6g
dv/dt5V/ns


IXFH30N50, Ixys Corporation

Параметры IXFH30N50

Наименование IXFH30N50
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 216457
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IXFH30N50, доступные на складе

  • Изображение  STW28NM50N

    STW28NM50N
    ST

    TO247/N-channel 500 V, 0.12 Ohm, 21 A

  • Изображение  STW25NM50N

    STW25NM50N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Iс(25°C): 21.5 А; Rси(вкл): 0.14 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 84 нКл; Pрасс: 160 Вт

  • Изображение  STW23NM50N

    STW23NM50N
    ST

    MOSFET, N CH, 500V, 17A, TO 247

Изображения IXFH30N50

IXFH30N50, Ixys Corporation IXFH30N50, Ixys Corporation
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
117,00 руб
от 12 шт. 103,00 руб
от 30 шт. 87,50 руб
от 90 шт. 80,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом