Терраэлектроника

IRG4BC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 13A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2.4V
Power Dissipation60W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed52A
Pins, No. of3
Power, Pd60W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max110ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC20UDPBF

НаименованиеIRG4BC20UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул216444
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4BC20UDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC20UD

    IRG4BC20UD
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:13A; Voltage, Vce Sat Max:2.4V; Power Dissipation:60W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:52A; Pins, No.…

Изображения IRG4BC20UDPBF

IRG4BC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,50 руб
от 14 шт. 85,50 руб
от 41 шт. 73,00 руб
от 100 шт. 67,00 руб
Наличие на складе
17 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом