Терраэлектроника

IRLR3110ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont42A
Resistance, Rds On0.014ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Base Number3110
Current, Idm Pulse250A
Pins, No. of3
Power Dissipation140mW
Voltage, Vds Max100V


IRLR3110ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLR3110ZPBF

НаименованиеIRLR3110ZPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул216263
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRLR3110ZPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRLR3110ZTRRPBF

    IRLR3110ZTRRPBF
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLogic Level

  • Изображение  IRLR3410TRPBF

    IRLR3410TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

  • Изображение  IRLR3110ZTRLPBF

    IRLR3110ZTRLPBF
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLogic Level

  • Изображение  IRLR3110ZTRPBF

    IRLR3110ZTRPBF
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLogic Level

Изображения IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3110ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3110ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,50 руб
от 23 шт. 51,00 руб
от 75 шт. 43,80 руб
от 150 шт. 40,20 руб
Наличие на складе
3956 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом