Терраэлектроника

IRFL014NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont2.7A
Resistance, Rds On0.16ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ190pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C64nC
Current, Iar1.7A
Current, Idm Pulse15A
Current, Idss Max1.0чA
Depth, External7.3mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear0.1mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas48mJ
Gfs, Min1.6A/V
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL014N
Power Dissipation1.0W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB1.0W
Power, Pd1W
Power, Ptot2.1W
Resistance, Rds on Max0.16ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A120°C/W
Time, Fall3.3ns
Time, Rise7.1ns
Time, trr Typ41ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs Max20V


IRFL014NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFL014NPBF

НаименованиеIRFL014NPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул216015
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFL014NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL014TRPBF

    IRFL014TRPBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.7A, SOT-223-4

  • Изображение  IRFL014NTRPBF

    IRFL014NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:1.9A; On Resistance, Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W

  • Изображение  IRFL014N

    IRFL014N
    INFIN

    MOSFET, N SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRFL014NPBF

IRFL014NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFL014NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
21,50 руб
от 80 шт. 18,50 руб
от 160 шт. 16,00 руб
от 400 шт. 14,50 руб
Наличие на складе
551 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом