Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD3055T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 60 В
IК(макс) 10 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 2 МГц
h21 5...100


MJD3055T4, STMicroelectronics

Параметры MJD3055T4

Наименование MJD3055T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 215606
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD3055T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD3055T4G

    MJD3055T4G
    ONS

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Continuous Collector Current, Ic:10A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.1V; Power Dissipation, Pd:20W; DC Current Gain Min (hfe):20

Изображения MJD3055T4

MJD3055T4, STMicroelectronics MJD3055T4, STMicroelectronics MJD3055T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
35,00 руб
от 98 шт. 30,00 руб
от 214 шт. 27,60 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом