Терраэлектроника

IRG4PC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Continuous Collector Current, Ic31A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.8V
Power Dissipation, Pd100W
Package/CaseTO-247AC


IRG4PC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC30FDPBF

НаименованиеIRG4PC30FDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул215190
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4PC30FDPBF, доступные на складе

Изображения IRG4PC30FDPBF

IRG4PC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
111,00 руб
от 13 шт. 96,50 руб
от 36 шт. 83,00 руб
от 75 шт. 76,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом