Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR13N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 200V, 14A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On0.235ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse52A
Marking, SMDIRFR13N20D
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V


IRFR13N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR13N20DPBF

Наименование IRFR13N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 215009
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFR13N20DPBF, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRFR13N20DPBF

IRFR13N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR13N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR13N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,10 руб
от 32 шт. 37,70 руб
от 75 шт. 32,40 руб
от 225 шт. 29,70 руб
Наличие на складе
5953 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом