Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD112G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation1.75W
Hfe, Min200
ft, Typ25MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Complementary DeviceMJD117G
Current, Ic Max2A
Current, Ic hFE2A
Current, Icm Peak4A
Power, Ptot20W
Voltage, Vcbo100V


MJD112G, On Semiconductor

Параметры MJD112G

Наименование MJD112G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 214910
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD112G, доступные на складе

  • Изображение  MJD112T4G

    MJD112T4G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  MJD112RLG

    MJD112RLG
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  MJD112T4

    MJD112T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

Изображения MJD112G

MJD112G, On Semiconductor MJD112G, On Semiconductor MJD112G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,50 руб
от 150 шт. 17,60 руб
от 375 шт. 16,10 руб
Наличие на складе
776 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом