Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7853PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 100V, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.9V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Cont @ 25°C8.3A
Current, Id Cont @ 70°C6.6
Current, Idm Pulse66A
Power, Pd2.5W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Rth50


Параметры IRF7853PBF

Наименование IRF7853PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214840
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRF7853PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF7853TRPBF

    IRF7853TRPBF
    INFIN

    HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

  • Изображение  IRF7495PBF

    IRF7495PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:7.3A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:58A; Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Power, Pd:2.5W; Time, Fall:36ns; Time, Rise:13ns; Transistors, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
53,50 руб
от 64 шт. 46,10 руб
от 139 шт. 42,30 руб
Наличие на складе
3789 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом