Терраэлектроника

MJ11032G, On Semiconductor

TRANSISTOR

Transistor TypeNPN
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo120V
Current, Ic Continuous a Max50A
Voltage, Vce Sat Max3.5V
Power Dissipation300mW
Hfe, Min400
Case StyleTO-204
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +200°C


MJ11032G, On Semiconductor

Параметры MJ11032G

НаименованиеMJ11032G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул214620
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJ11032G, доступные на складе

  • Изображение  MJ11032

    MJ11032
    ISC

    Склад (1-2 дн)

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

  • Изображение  MJ11032

    MJ11032
    SEMELAB

    LS: 13 3 Транзисторы

  • Изображение  MJ11032

    MJ11032
    MULTCMP

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:50A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:300W; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-3; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:50A; Current, Ic av:50A; Current, Ic hFE:25A; Pins, No.…

Изображения MJ11032G

MJ11032G, On Semiconductor MJ11032G, On Semiconductor MJ11032G, On Semiconductor MJ11032G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
658,00 руб
от 3 шт. 576,00 руб
от 7 шт. 493,50 руб
от 14 шт. 453,00 руб
Наличие на складе
88 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом