Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFD210PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont0.6A
Resistance, Rds On1.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse4.8A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1W
Power, Pd1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V


IRFD210PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD210PBF

Наименование IRFD210PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 214418
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,50 руб
от 100 шт. 28,70 руб
от 200 шт. 26,40 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом