Терраэлектроника

IRFD210PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont0.6A
Resistance, Rds On1.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse4.8A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1W
Power, Pd1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V


IRFD210PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD210PBF

НаименованиеIRFD210PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул214418
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,50 руб
от 43 шт. 29,50 руб
от 100 шт. 25,50 руб
от 300 шт. 23,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом