Терраэлектроника

IRFP3415PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 150V, 43A, TO-247AC

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont43A
Resistance, Rds On0.042ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse150A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.042ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max150V


IRFP3415PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFP3415PBF

НаименованиеIRFP3415PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул214225
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFP3415PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFP3415

    IRFP3415
    INFIN

    Полевой транзистор. 150V. 43A.

  • Изображение  IRFP4568PBF

    IRFP4568PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, 150V 171A TO-247AC; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:171A; Resistance, Rds On:4.8mohm;…

  • Изображение  IRFP4321PBF

    IRFP4321PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 150V, TO-247AC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:78A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Current, Idm Pulse:330A; Marking, SMD:310; Pins, No.…

Изображения IRFP3415PBF

IRFP3415PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFP3415PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
118,50 руб
от 13 шт. 103,50 руб
от 36 шт. 89,00 руб
от 75 шт. 81,50 руб
Наличие на складе
103 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом