Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF9Z34PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P, -60V, -18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-60V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.14ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:88W; Power, Pd:88W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.7°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:60V; Voltage, Vds Max:60V


IRF9Z34PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRF9Z34PBF

Наименование IRF9Z34PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 214220
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Корпус
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id

Аналоги IRF9Z34PBF, доступные на складе

  • Изображение  SPP18P06PHXKSA1

    SPP18P06PHXKSA1
    INFIN

    20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

  • Изображение  IRF9Z34NPBF

    IRF9Z34NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:68A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

Изображения IRF9Z34PBF

IRF9Z34PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRF9Z34PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,90 руб
от 32 шт. 38,40 руб
от 100 шт. 32,90 руб
от 200 шт. 30,20 руб
Наличие на складе
4042 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом