Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB38N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 200V, 44A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.054ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse180A
Power Dissipation320W
Power, Pd320W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V54ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.47°C/W
Voltage, Vds Max200V


IRFB38N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB38N20DPBF

НаименованиеIRFB38N20DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул214045
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRFB38N20DPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB38N20D

    IRFB38N20D
    INFIN

    Полевой транзистор. 200V. 44A.

  • Изображение  IRFB4127PBF

    IRFB4127PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:76A; Resistance, Rds On:17mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRFB4227PBF

    IRFB4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

Изображения IRFB38N20DPBF

IRFB38N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB38N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
86,50 руб
от 16 шт. 75,50 руб
от 50 шт. 65,00 руб
от 100 шт. 59,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом