Терраэлектроника

IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max20A
Voltage, Vce Sat Max3.1V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed40A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ97ns
Time, Rise79ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH30KDPBF

НаименованиеIRG4PH30KDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул214042
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PH30KDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50KDPBF

    IRG4PH50KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:2.77V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:90A; Device Marking:IRG4PH50KDPBF; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH30KD

    IRG4PH30KD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:3.1V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:40A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH40KD

    IRG4PH40KD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.4V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:60A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH40KDPBF

    IRG4PH40KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.4V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:60A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH50KD

    IRG4PH50KD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:2.77V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:90A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH30KDPBF

IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
182,00 руб
от 8 шт. 159,50 руб
от 25 шт. 136,50 руб
от 50 шт. 125,50 руб
Наличие на складе
263 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом