Терраэлектроника

SI2312DS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, TO-236

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont4.9A
Resistance, Rds On0.033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.65V
Case StyleTO-236
Termination TypeSMD


Параметры SI2312DS-T1-E3

НаименованиеSI2312DS-T1-E3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул212941
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом