Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSS123, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont0.15A
Resistance, Rds On3.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse0.6A
Power Dissipation0.25W
Power, Pd0.25W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2.8V


BSS123, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры BSS123

НаименованиеBSS123
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212913
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги BSS123, доступные на складе

  • Изображение  BSS123.215

    BSS123.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

    N CHANNEL MOSFET, 150MA,100V,SOT-23

Изображения BSS123

BSS123, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) BSS123, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом