Терраэлектроника

IRF7807VD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, FETKY, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On0.017ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Max66A
Current, Idm Pulse66A
Current, If AV3.5A
Marking, SMD807VD1
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vf Max0.54V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min0.5V


IRF7807VD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7807VD1PBF

НаименованиеIRF7807VD1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212839
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Документация для IRF7807VD1PBF

Аналоги IRF7807VD1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
10,50 руб
Наличие на складе
1425 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом