Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7807VD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, FETKY, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On0.017ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Max66A
Current, Idm Pulse66A
Current, If AV3.5A
Marking, SMD807VD1
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vf Max0.54V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min0.5V


IRF7807VD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7807VD1PBF

Наименование IRF7807VD1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212839
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF7807VD1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,50 руб
Наличие на складе
1415 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом