Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, FETKY, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Max66A
Current, Idm Pulse66A
Current, If AV3.7A
Marking, SMD807D2
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vf Max0.54V
Voltage, Vgs th Max1.2V
Voltage, Vgs th Min1V


IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7807D2PBF

Наименование IRF7807D2PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212838
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRF7807D2PBF, доступные на складе

Изображения IRF7807D2PBF

IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
8,30 руб
Наличие на складе
405 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом