Терраэлектроника

IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, FETKY, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Max66A
Current, Idm Pulse66A
Current, If AV3.7A
Marking, SMD807D2
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vf Max0.54V
Voltage, Vgs th Max1.2V
Voltage, Vgs th Min1V


IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7807D2PBF

НаименованиеIRF7807D2PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212838
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток

Документация для IRF7807D2PBF

Аналоги IRF7807D2PBF, доступные на складе

Изображения IRF7807D2PBF

IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7807D2PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
14,00 руб
Наличие на складе
490 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом