Терраэлектроника

IRF8910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transist

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Ultra-Low Gate Impedance
  • Dual N-Channel MOSFET

IRF8910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF8910PBF

НаименованиеIRF8910PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212833
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRF8910PBF, доступные на складе

Изображения IRF8910PBF

IRF8910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
47,00 руб
от 31 шт. 41,00 руб
от 95 шт. 35,00 руб
от 190 шт. 32,50 руб
Наличие на складе
536 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом