Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MMBT5551LT1, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Bipolar Transistor Package/Case:SOT-23 (


MMBT5551LT1, On Semiconductor

Параметры MMBT5551LT1

Наименование MMBT5551LT1
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 21270
Коэффициент усиления по току hFE
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Корпус

Аналоги MMBT5551LT1, доступные на складе

  • Изображение  MMBT5551LT1G

    MMBT5551LT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:160V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.15V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:80; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD

Изображения MMBT5551LT1

MMBT5551LT1, On Semiconductor MMBT5551LT1, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом