Терраэлектроника

IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.15V
Power Dissipation308W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Power, Pd308W
Time, Rise6ns
Voltage, Vceo600V


IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP35B60PDPBF

НаименованиеIRGP35B60PDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212649
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRGP35B60PDPBF, доступные на складе

Изображения IRGP35B60PDPBF

IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
317,00 руб
от 5 шт. 278,00 руб
от 13 шт. 238,00 руб
от 25 шт. 219,00 руб
Наличие на складе
160 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом