Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1407PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont130A
Resistance, Rds On0.0078ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse520A
Power Dissipation330W
Power, Pd330W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V7.8ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.45°C/W
Voltage, Vds Max75V


IRF1407PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1407PBF

Наименование IRF1407PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212430
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRF1407PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB3077PBF

    IRFB3077PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:3.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRF1407

    IRF1407
    INFIN

    MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:75V; C

  • Изображение  STP140NF75

    STP140NF75
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 75 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 7.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 160 нКл

Изображения IRF1407PBF

IRF1407PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1407PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1407PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
66,50 руб
от 50 шт. 57,00 руб
от 100 шт. 52,50 руб
Наличие на складе
770 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом