Терраэлектроника

IRFD014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse14A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V


IRFD014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD014PBF

НаименованиеIRFD014PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул212025
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
27,10 руб
от 50 шт. 23,70 руб
от 145 шт. 20,30 руб
от 300 шт. 18,70 руб
Наличие на складе
1986 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом