Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFD014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse14A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V


IRFD014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD014PBF

Наименование IRFD014PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 212025
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Ток стока Id
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
30,00 руб
от 46 шт. 26,30 руб
от 134 шт. 22,50 руб
от 300 шт. 20,70 руб
Наличие на складе
1701 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом