Терраэлектроника

IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 200V, 16A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse64A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V170ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.1°C/W
Voltage, Vds Max200V


IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB17N20DPBF

НаименованиеIRFB17N20DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул212019
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRFB17N20DPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4620PBF

    IRFB4620PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IRFB4020PBF

    IRFB4020PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB17N20D

    IRFB17N20D
    INFIN

    Полевой транзистор. 200V. 16A.

Изображения IRFB17N20DPBF

IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
62,00 руб
от 22 шт. 54,50 руб
от 50 шт. 46,70 руб
от 150 шт. 42,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом