Терраэлектроника

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

LS: полупроводн

Описание с сайта производителя

Возможности

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SPP20N60S5XKSA1

НаименованиеSPP20N60S5XKSA1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул211658
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги SPP20N60S5XKSA1, доступные на складе

  • Изображение  STP23NM60N

    STP23NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 19 А; Rси(вкл): 0.18 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 60 нКл; Pрасс: 150 Вт

Изображения SPP20N60S5XKSA1

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
197,00 руб
от 8 шт. 172,00 руб
от 22 шт. 147,50 руб
от 50 шт. 135,50 руб
Наличие на складе
465 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом