Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

LS: полупроводн

Описание с сайта производителя

Возможности

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SPP20N60S5XKSA1

Наименование SPP20N60S5XKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 211658
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги SPP20N60S5XKSA1, доступные на складе

  • Изображение  STP23NM60N

    STP23NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 19 А; Rси(вкл): 0.18 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 60 нКл; Pрасс: 150 Вт

Изображения SPP20N60S5XKSA1

SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
215,00 руб
от 17 шт. 184,00 руб
от 36 шт. 169,00 руб
Наличие на складе
388 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом