Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPW65R045C7FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 46 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 93 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: Single
  • Fall Time: 7 ns
  • Forward Transconductance - Min: -
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 227 W
  • Rise Time: 14 ns
  • Series: XPW65R045
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 82 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Part # Aliases: IPW65R045C7 SP000929412
  • Unit Weight: 38 g


IPW65R045C7FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPW65R045C7FKSA1

Наименование IPW65R045C7FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2115959
Ток стока Id
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Аналоги IPW65R045C7FKSA1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1130,00 руб
от 2 шт. 984,00 руб
от 4 шт. 843,00 руб
от 8 шт. 774,00 руб
Наличие на складе
24 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом